Transko石英晶體應(yīng)用說明

1，在訂購石英晶體時(shí)，需要提供哪些基本信息？
-一般情況下，我們要求客戶提供標(biāo)稱頻率、切割角度類型（AT/BT）、支架或封裝類型、電阻（ESR）、頻率公差、頻率穩(wěn)定性、負(fù)載電容、工作溫度范圍、驅(qū)動功率、老化等。客戶在下訂單時(shí)，還可以指定其他特定的規(guī)格或要求。
2，頻率容差和頻率穩(wěn)定性之間的主要區(qū)別是什么？
有時(shí)“參考”頻率可指標(biāo)稱（規(guī)格）頻率，如果由客戶指定。
頻率穩(wěn)定性通常以百萬分之一（ppm）表示。
晶體的頻率容差定義為在指定溫度下與標(biāo)稱（規(guī)格）頻率的最大允許頻率偏差，單位為ppm，通常為+25°C（-2°C）
3，當(dāng)晶體不在規(guī)范中規(guī)定的溫度范圍內(nèi)工作時(shí)，其性能會如何？
晶體的性能將會受到影響。我們強(qiáng)烈不建議我們再這樣做了。它會導(dǎo)致石英晶體的頻率漂移。更糟糕的情況是，它可能會導(dǎo)致客戶電路的故障
4，什么是AT或BT削減？
晶體主要攜帶其“頻率穩(wěn)定性”特性，這是由于石英棒如何以一定的預(yù)定向角度切割成晶片。今天，最受歡迎和最廣泛使用的一個(gè)是AT-Cut。
AT切割的負(fù)y軸方向與z軸的切割角度約為35X15‘，而bt切割的正y軸方向與z軸的切割角度約為-45X。為了便于理解，這兩個(gè)切割的圖表如下所示。
一般來說在相同的頻率，因此使用BT切割可以實(shí)現(xiàn)更高的頻率。
AT切割和BT切割的一個(gè)主要區(qū)別是頻率穩(wěn)定性特性。也請參見表1中兩個(gè)切口的溫度系數(shù)曲線。

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5，什么是可拉性？
晶體的拉力是一種測量頻率變化作為負(fù)載電容的函數(shù)。
電路設(shè)計(jì)器可以通過改變或改變晶體的負(fù)載電容來完成一個(gè)工作頻率范圍。工作頻率范圍由晶體在給定的負(fù)載電容（變化)范圍內(nèi)的可拉能力決定。
6，什么是雜散頻率？
晶體有可能以與其基頻或泛頻無關(guān)的頻率振動。這種不需要的頻率被稱為假的頻率。
在晶體設(shè)計(jì)和制造階段，通過改變晶片尺寸、電極圖案設(shè)計(jì)和調(diào)整晶片上的金屬化，可以抑制雜散頻率的影響。

7，雜散頻率的影響會是什么？
當(dāng)雜散模的信號電平與主模一樣強(qiáng)時(shí)，振蕩器可以在雜散模而不是主模上運(yùn)行。這種現(xiàn)象被稱為模式跳躍。
偽模式通常被定義為對主模式的電阻比或dB抑制。為了避免大多數(shù)石英晶體振蕩器的電阻比需要1.5或2.0的主模比來避免模式跳變。這將大致相當(dāng)于在主模式上的一個(gè)-3dB到-6dB的信號抑制
8，如果我操作一個(gè)石英晶振超過其最大驅(qū)動器水平規(guī)格會發(fā)生什么？
在許多情況下，過驅(qū)動晶體可能導(dǎo)致其頻率和阻力變化到更高的值。這將意味著晶體電學(xué)特性的變化。有時(shí)，體育活動也會因此而下降。它也可能導(dǎo)致晶片破碎，因?yàn)樘嗟墓β蔬^驅(qū)動時(shí)間過長
表2描述了在高驅(qū)動功率下移頻的常見現(xiàn)象。

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9，什么是市場活動的下降，我需要擔(dān)心它們嗎？
活動度下降是指晶體在其工作溫度范圍內(nèi)的頻率或電阻不連續(xù)的癥狀。有時(shí)它也被稱為“非線性”。
根據(jù)實(shí)際的電路實(shí)現(xiàn)，不同的電路設(shè)計(jì)可能容忍不同水平的晶體活度下降。
10，為什么HC-49S晶體不能拉動HC-49U晶體？
晶體的可拉性通常與在晶體空白上形成的電極尺寸有關(guān)。一個(gè)更大的石英晶振尺寸的晶體空白當(dāng)然可以容納一個(gè)更大的電極。HC-49S在空白空間中的尺寸比HC-49U要小。
當(dāng)晶體在振蕩電路中與給定的負(fù)載電容串聯(lián)時(shí)，較大的電極通常會提供更寬的頻率拉頻范圍。
11，什么是修剪靈敏度（T.S.）？
修剪靈敏度是晶體在負(fù)載電容增量變化時(shí)的增量頻率變化。它通常以ppm/pF表示。修剪靈敏度的典型數(shù)學(xué)近似顯示T.S。隨CL的變化而變化：T.S.=C1/[2（共+）]
12，at削減和ATstrip削減有什么區(qū)別？
關(guān)于AT-Cut的解釋也請參考FAQ No. 6。at帶切割通常是指具有at切割角的矩形晶坯

13，“晶體”和“條狀諧振器”之間的區(qū)別是什么？
帶諧振器是一種使用和安裝at帶切割空白的晶體。
帶狀諧振器的電特性比利用圓形空白的晶體更復(fù)雜。在設(shè)計(jì)帶諧振器時(shí)需要更多的技能和注意，以實(shí)現(xiàn)所需的電氣特性。
14，一個(gè)晶體單元的運(yùn)動容量和分流電容是什么？
運(yùn)動電容（C1）：它是位于理想晶體等效電路模型的運(yùn)動（串聯(lián)）臂中的電容。
并聯(lián)電容（C0）：它是晶體電極之間的靜電容，以及安裝系統(tǒng)的雜散電容

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15，什么是負(fù)荷電容（CL）？
晶體通過其函數(shù)將被放置和工作在一個(gè)振蕩電路中，以產(chǎn)生一個(gè)所期望的振蕩頻率。當(dāng)一個(gè)晶體位于一個(gè)振蕩電路中時(shí)，它會在晶體的兩個(gè)端子導(dǎo)線處看到一個(gè)“負(fù)載電容”。這種負(fù)載電容是出現(xiàn)在晶體上或出現(xiàn)在晶體上的整個(gè)振蕩電路的等效電容效應(yīng)
因此，石英晶體的標(biāo)稱規(guī)格頻率通常被定義為FL，它代表在給定的電容值下的“負(fù)載諧振頻率”。這個(gè)電容值是為了反映晶體在一個(gè)真實(shí)的振蕩電路中工作時(shí)出現(xiàn)的實(shí)際“負(fù)載電容”。
負(fù)載電容數(shù)為零(0)的晶體，其諧振頻率指定為Fr，串聯(lián)諧振頻率。
16，石英晶體單元的壓電特性是什么？
石英是一種具有壓電特性的器件。對石英晶體的壓電特性的簡要解釋如下：
如果壓電石英晶體的電極被鍍在相反的面上，如果在這些電極之間施加電位，力將施加在晶體內(nèi)的束縛電荷上。如果晶體安裝正確，晶體內(nèi)部就會發(fā)生變形，并形成一個(gè)機(jī)電系統(tǒng)，當(dāng)適當(dāng)激發(fā)時(shí)將以諧振頻率振動。

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