百利通亞陶晶振,HX251晶振,貼片石英晶振.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
Diodes 的產(chǎn)品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護(hù)裝置、特定功能數(shù)組、單閘極邏輯、放大器與比較器、霍爾效應(yīng)與溫度傳感器、電源管理裝置 (包括 LED 驅(qū)動(dòng)器)、AC-DC 轉(zhuǎn)換器與控制器、DC-DC 開關(guān)與線性穩(wěn)壓器,以及電壓參考與特殊功能裝置 (例如 USB 電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)、電壓監(jiān)控器及馬達(dá)控制器).Double Data Rate (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存是用于計(jì)算機(jī)的內(nèi)存等級. Diodes晶振可為高可用性通訊與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(包括服務(wù)器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復(fù)數(shù)據(jù)設(shè)備)以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件.
石英晶振的切割設(shè)計(jì):用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質(zhì),壓電性質(zhì),溫度性質(zhì)不同,其電特性也各異,石英耐高溫晶振目前主要使用的有AT切、BT切.其它切型還有CT、DT、GT、NT等.
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百利通亞陶晶振 |
HX251晶振 |
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輸出類型 |
CMOS |
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輸出負(fù)載 |
15pF |
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振蕩模式 |
基本/第三泛音 |
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電源電壓 |
+1.8V,+2.5V,+3.3V |
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頻率范圍 |
26MHz |
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頻率穩(wěn)定度 |
±50ppm |
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工作溫度 |
-40℃~+125℃ |
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保存溫度 |
-55℃~+125℃ |
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電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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啟動(dòng)時(shí)間 |
5 ms Max |
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相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) |
1個(gè)PS最大 |
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老化率 |
±3 ppm /年最大 |
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)數(shù)碼電子晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
存儲事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶振時(shí),會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
輸出負(fù)載
建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間).
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的低損耗晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.


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