TCXO和OCXO技術之間的區別,集成電路技術的進步使得OCXO和TCXO模糊了他們的歷史差異。隨著技術的進步，這兩種類型的振蕩器使得許多設計者很難確定哪種技術是合適的,對于特定的應用。本應用筆記旨在為設計人員提供一個比較OCXO和TCXO的，以幫助作出更明智的選擇，并實現給定應用的最佳性能

OCXO恒溫晶振和TCXO溫補晶振技術之間的當前分界線大約是0.28 PPM的水平,超過所需的溫度范圍。TCXO為第三層應用開發提高了溫度范圍內的穩定性，接近傳統的穩定性,由OCXO實現的。由于這兩種技術都適用于應用程序，這可能會造成混淆,決定哪一個最適合給定的應用。

TCXO是一種溫補晶體振蕩器，具有施加到電壓上的校正電壓 控制引腳。該電壓隨溫度變化，使頻率回到標稱值。這應用在規格的整個頻率范圍內使用晶體。任何水晶耦合模式等相關問題無法校正，并且會疊加在頻率-溫度曲線上。這使得晶體的設計和制造變得困難,也是TCXO的重要組成部分。

大多數TCXO需要電壓控制功能。這允許精確設置頻率，針對長期老化的調整，以及將器件鎖相至其它信號源的能力。這功能VCTCXO(壓控溫補振蕩器)通過調節晶體上的負載電容來工作。這些調整所帶來的變化應該 被考慮為緊公差的TCXO氏癥。用于調節頻率的電容有一個 溫度系數，該溫度系數會改變電容的標稱值 溫度過高。這種變化對晶體的補償有影響。精度較低 TCXO的這一點通常被忽略，但當TCXO精度達到并超過0.5 ppm水平時，這些不能再忽視效果了。在典型的應用中，單位需要從 精確校準為0.5-2 ppm。然后，該裝置將需要調整以獲得長期穩定性(老化)。

恒溫控制晶體振蕩器(OCXO)通常用于高精度頻率應用。這種方法將晶體和相關的振蕩器電路加熱到水晶。OCXO應用中使用的上轉折點的一部分。這些振蕩器的晶體是這樣制造的，即上轉折點高于最高點 額定溫度范圍。晶體和相關電路被加熱到并保持在晶體上該點周圍的溫度窗口變窄，設備被調諧到頻率那個溫度

溫度穩定的環境具有一些固有的優點。這種方法大大地降低前面提到的溫度系數效應。當EFC變化+/-4 ppm和+/- 8 ppm時，OCXO的頻率溫度特性去TCXO。數據顯示與控制電壓變化相關的OCXO的穩定性在范圍內與50-100 ppb的TCXO相比，其為5-10 ppb

OCXO具有在非常窄的溫度范圍內鍛煉石英晶體的額外優勢窗口，通常為幾度或更小。這大大減少了激發不必要的機會晶體中的模式。這種方法的最大缺點是設備的尺寸和電源要求。隨著技術的發展，這些設備的尺寸和功率需求設備繼續減少。

在選擇合適的器件之前，需要考慮的關鍵問題是隨著校準和長期穩定性所需的調整，頻率穩定性發生變化， (老化)。OCXO對這些影響的敏感度只有TCXO的四分之一。這應該是在考慮產品的壽命時要考慮到這一點。OCXO和TCXO產品之間需要考慮的差異。一般來說，當尺寸和功率對應用至關重要時，首選TCXO。這些往往是手持或電池供電設備。就頻率而言，OCXO的產品更強勁穩定。這種類型的產品往往更適合通信/網絡應用。有助于指導設計者為其應用選擇最合適的技術。