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美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

頻率：10MHZ

尺寸：7.0×5.0mm

美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz，尺寸7.0×5.0mm，頻率10MHZ，歐美進口晶振，GED晶體振蕩器，OSC貼片振蕩器，石英晶體振蕩器，石英有源晶振，有源晶體振蕩器，時鐘晶體振蕩器，有源貼片晶振，7050mm有源晶振，6G發射器晶振，低功耗有源晶振，低抖動有源晶振，低電壓有源晶振，測試測量專用晶振，儀器設備有源振蕩器，路由器有源晶振，多媒體設備晶振，智能家居專用晶振，智能家電晶振，高性能有源晶振，低相位有源晶振，低耗能有源晶振，低損耗有源晶振，具有低電壓高性能的特點。

有源晶振產品常常用于6G發射器晶振，測試測量，儀器設備，路由器，多媒體設備，智能家居，網絡設備，無線模塊等領域。美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz.

訂購熱線：86-0755-27838351

美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz 參數表

ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Frequency Range		10.000MHz
Frequency Stability		±20ppm ±25ppm ±50ppm ±100ppm
Operating Temperature Range		0°C to +70°C or –40°C to 85°C
Storage Temperature Range		-55 ~ +125°C
Input Voltage		+5.0VDC ±10%
Input Current		1.000MHz to 32.000MHz 33.000MHz to 49.000MHz 50.000MHz to 69.000MHz 70.000MHz to 133.000MHz	20mA Max 45mA Max 50mA Max 100mA Max
Symmetry		50±10% Standard, 50±5% Available
Rise / Fall Time	TTL	5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
	CMOS	5nSeconds Typical, 10nSeconds Max
Output Level	TTL	VOL : 0.4V Max VOH : +2.4V Min
	CMOS	VOL : 0.5V Max VOH : VDD – 0.5V Min
Output Load		CMOS, compatible, 1~10TTL Gates
Pin 1 Option		No connection Enable/Disable (Tristate)

美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz 尺寸圖

美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

SPXO晶振產品特性:

HCMOS/TTL輸出

5.0V電源電壓

陶瓷SMD封裝

可用于磁帶和卷軸

美國GED有源晶振 6G發射器晶振 SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

采購：美國GED有源晶振,6G發射器晶振,SMD100.3C(E/D)-10.000MHz

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