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Greenray晶振,T1220晶振,進(jìn)口晶振

頻率：10MHZ~50MHZ

尺寸：12.70*20.32mm

Greenray格林雷晶振集團(tuán)廣泛用于通信行業(yè)的需求,包括為電信、無線和SATCOM以及WiMAX等新興技術(shù)而設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,包括用于電信的Stratum III和IIIE.此外,我們還為全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(如GPS)提供高精度有源晶振,石英晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶振等.所生產(chǎn)的高精密晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）、低噪音壓控晶體振蕩器（VCXO）、低振動(dòng)溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、高穩(wěn)定恒溫晶體振蕩器（OCXO）廣泛用于一些檢測(cè)儀器,高端設(shè)備儀器,高精密設(shè)備等產(chǎn)品中.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

Greenray晶振,T1220晶振,進(jìn)口晶振.Greenray格林雷工業(yè)是一家領(lǐng)先的精密晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振,石英晶體振蕩器制造商.幾十年來我們所生產(chǎn)的晶振,石英晶體,貼片晶體等產(chǎn)品的設(shè)計(jì),測(cè)試,包裝都是經(jīng)過一系列嚴(yán)格要求規(guī)范操作,是在我們位于賓夕法尼亞州機(jī)械堡的工廠中通過嚴(yán)格的管理以及嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度進(jìn)行操作的.我們所生產(chǎn)的有源晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)振蕩器都是符合ITAR標(biāo)準(zhǔn)的,我們的質(zhì)量管理體系認(rèn)證為ISO:9001標(biāo)準(zhǔn).

Greenray格林雷工業(yè)生產(chǎn)貼片晶體振蕩器,有源晶振,SMT、thru - hole、混合和定制產(chǎn)品.所生產(chǎn)的石英晶體振蕩器根據(jù)性能可以分為：普通晶體振蕩器（SPXO）、壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）等.

Greenray格林雷晶振集團(tuán)致力于研發(fā)生產(chǎn)高精密,性能穩(wěn)定的石英晶體振蕩器,滿足不同客戶的特殊要求,并且具有低噪音,低相位等特點(diǎn).Greenray格林雷有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補(bǔ)晶體振蕩器,(OCXO)恒溫晶體振蕩器等在產(chǎn)品中使用具備優(yōu)異的振動(dòng)性,耐沖擊等特性.Greenray格林雷還為廣大用戶提供具有良好可靠性,在產(chǎn)品中使用性能穩(wěn)定強(qiáng)的自校準(zhǔn)振蕩器,石英晶體振蕩器.Greenray格林雷晶振集團(tuán)所生產(chǎn)的石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器工作溫度范圍較廣在-55+125°C之間,Greenray格林雷OCXO晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度在±0.005ppm較高精度,TCXO溫補(bǔ)晶振的頻率穩(wěn)定度控制在±0.04ppm范圍的高精度,具有低相位,低抖動(dòng),低噪音等特性.Greenray格林雷晶振集團(tuán)為確保所生產(chǎn)晶振,貼片石英晶振的質(zhì)量,都會(huì)經(jīng)過廣泛的電氣以及環(huán)境測(cè)試,確保質(zhì)量上不會(huì)存在錯(cuò)誤,其中包括•老化•溫度測(cè)試•溫度循環(huán)•溫度沖擊•機(jī)械沖擊•微跳•穩(wěn)定烤•加速度•加速度靈敏度•好/總泄漏•隨機(jī)振動(dòng)振動(dòng)•耐溶劑•可焊性

格林雷晶振	T1220晶振
輸出類型	CMOS
輸出負(fù)載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+3.0V，+3.3V，+5.0V
頻率范圍	10MHz~50MHz
頻率穩(wěn)定度	±0.3ppm，±0.5ppm，±1.0ppm，±2.0ppm
工作溫度	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-40℃~+85℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間	5 ms Max
相位抖動(dòng)（12兆赫~20兆赫）	1個(gè)PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

t1220 12.70 x 20.32 TCXO

Greenray晶振,T1220晶振,進(jìn)口晶振

負(fù)極電阻

除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）.

負(fù)載電容

有源進(jìn)口貼片晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源5032晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值.當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿足時(shí),指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形.特別是設(shè)置電抗,根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗,測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器.當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器,不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器,測(cè)量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測(cè)量可以忽略.

機(jī)械處理

當(dāng)有源耐高溫晶振發(fā)生外置撞擊時(shí),任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí),或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí),強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致貼片晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn).

激勵(lì)功率

在晶振上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）.