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KDS晶振,壓控溫補晶振,DSA211SCM晶振,1XXC26000HBA晶振

頻率：12.288-52MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

貼片壓控晶振最適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體振蕩器.也可對應有高可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優良的耐環境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

訂購熱線：86-0755-27838351

KDS晶振,壓控溫補晶振,DSA211SCM晶振,1XXC26000HBA晶振,普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩定性,高可靠性的石英晶體振蕩器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤,可在自動貼片機上對應自動貼裝等優勢.

石英晶振的研磨技術：通過對高質量SMD晶振切割整形后的晶片進行研磨，使石英晶振的晶片達到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為：在壓電晶體行業，生產晶振頻率的高低是顯示技術水平的一個方面，通過理論與實際相結合，累積多年的晶振研磨經驗，通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術，注重貼片晶振研磨過程的各種細節，注重晶振所用精磨研磨設備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	12.288-52MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.86-3.3V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-40℃ to +85℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃ to +70℃	請聯系我們查看更多資料http://m.yaohuifushi.cn
		H: -30℃ to +85℃

頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

DSA211SCM 2016 VC-TCXO

KDS有源晶振產品列表：

DSA535SC DSA535G

低頻率穩定輸出晶振,3225金屬表面封裝晶振,DSX321SH晶振

石英晶振自動安裝和真空化引發的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保進口溫補晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。

每個封裝類型的注意事項

(1)陶瓷包裝晶振與SON產品

在焊接陶瓷封裝晶振和SON產品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應力而導致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產品之后進行電路板切割時,2016貼片晶振務必確保在應力較小的位置布局有源VCXO晶體并采用應力更小的切割方法。

(2)陶瓷包裝石英晶振

在一個不同擴張系數電路板（環氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復變化時可能導致端子焊接部分發生斷裂,請事先檢查焊接特性。

（3）柱面式產品

產品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導致在引腳根部發生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導致氣密性和產品特性受到破壞。當有源晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發生分裂。當該引腳需修復時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產品固在定電路板上。

KDS晶振,壓控溫補晶振,DSA211SCM晶振,1XXC26000HBA晶振

有源石英晶振壓控晶體振蕩器 OSC71晶振 1XXC26000HBA晶振

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