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KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

頻率：3.25MHZ~52MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.

訂購熱線：86-0755-27838351

KDS晶振,DSO221SBM晶振,有源晶振

日本株式會社大真空晶振總公司設立在日本國兵庫縣加古川市平岡町新在家,創業時間為1959年11月3日,正式注冊成立是在1963年5月8日,當時注冊資金高達321億日元之多,主要從事電子元件石英晶振以及電子設備生產銷售一體化,包括晶體諧振器,音叉型晶體諧振器,晶體應用產品,晶體振蕩器,晶體濾波器,晶體光學產品,硅晶體時鐘設備,MEMS振蕩器等.

大真空株式會社KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念”依賴”于”可靠的人”“可靠的產品”和”可靠的公司”.作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,更方便人們更舒適,通過開發石英晶振, 壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內外提供世界一流的質量和滿意程度高.所生產石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國,英國,德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以”依賴”為公司方針,以客戶為導向,創新高效的經營管理,努力創造利潤,履行企業社會責任.

日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

日本大真空株式會社KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷.

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如何正確的使用有源晶振

電處理：

將電源連接到有源晶體振蕩器指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英2520晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

機械振動的影響

當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管SMD晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.

有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗高精密貼片晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.

DSO221SBM 2520 SPXO

項目	記號	特性コード		出力周波數範囲（MHz）	規格				條件
項目	記號	電源電圧	周波數許容偏差	出力周波數範囲（MHz）	min.	typ.	max.	単位	條件
電源電圧	V_CC	＊	＊	3.25≦fo≦52	+4.5	+5.0	+5.5	V
周波數許容偏差（常溫偏差含む）	f_tol	＊	A	3.25≦fo≦52	-100	-	+100	×10^-6	-40~+85℃	-10~+70℃ （標準動作溫度範囲）
			B	3.25≦fo≦52	-50	-	+50		-40~+85℃
			C	3.25≦fo≦52	-30	-	+30		-20~+70℃
消費電流	I_CC	＊	＊	3.25≦fo≦52	-	-	8.0	mA	No Load
スタンバイ時電流（＃1ピン"L"）	I_std	＊	＊	＊	-	-	50	μA
出力負荷	L__CMOS	＊	＊	＊	-	-	30	pF
波形シンメトリ	SYM	＊	＊	fo＜26	45	50	55	%	50% V_CC Level
波形シンメトリ	SYM	＊	＊	fo≧26	40	50	60	%	50% V_CC Level
0レベル電圧	V_OL	＊	＊	＊	-	-	V_CC×0.1	V
1レベル電圧	V_OH	＊	＊	＊	V_CC×0.9	-	-	V
立上り時間立下り時間	tr, tf	＊	＊	3.25≦fo≦52	-	-	10	ns	L__CMOS:30pF 10~90％ V_CC Level（20~80％ V_CC Level）
OE端子0レベル入力電圧	V_IL	＊	＊	＊	-	-	V_CC×0.2	V
OE端子1レベル入力電圧	V_IH	＊	＊	＊	V_CC×0.8	-	-	V
出力ディスエーブル時間	tPLZ	＊	＊	＊	-	-	150	ns
出力イネーブル時間	tPZL	＊	＊	＊	-	-	5	ms
ピリオド　ジッタ（1）	tRMS	＊	＊	＊	-	2.5	-	ps	σ
ピリオド　ジッタ（1）	tp-p	＊	＊	＊	-	20	-	ps	Peak to peak
トータル　ジッタ?。?）	tTL	＊	＊	＊	-	35	-	ps	tDJ+n×tRJ n=14.1(BER=1×10^-12)　(2)
位相ジッタ	tpj	＊	＊	40≦fo≦52	-	-	1	ps	fo offset:12kHz~20MHz
位相ジッタ	tpj	＊	＊	10≦fo＜40	-	-	1	ps	fo offset:12kHz~5MHz
梱包単位（3）	2000pcs./reel（φ180）

DSO221SBM晶振低電壓晶振 2520mm晶振貼片晶振

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