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希華晶體產品進口晶振應用范圍包含行動電話、平板電腦、衛星通訊、車載系統、全球定位系統、個人電腦、無線通信及家用產品等，扮演基本信號源產生、傳遞、濾波等功能。持續致力于技術研究開發及品質落實扎根，營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務予世界電子大廠。

導入先進微機電制程創新研發技術敏銳地掌握臺產晶振產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流，致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品，與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域，加速導入TF SMD Crystal的量產，藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。

希華晶振,有源晶振,OSC52晶振,貼片晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：OSC晶振是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

項目	符號	(CMOS)晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	0.5~160MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	VCC	3.3~5.0V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -20℃to +70℃	請聯系我們查看更多資料http://m.yaohuifushi.cn
		H: -40℃to +85℃

頻率穩定度	f_tol	J: ±20× 10-6
		L: ±25× 10-6
		T: ±50× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
輸入電壓	VIL	20 % VCCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

OSC52 7050 OSC

如何正確的使用5070mm晶振,電處理:將電源連接到指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值，就很可能會導致石英晶振產品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振，或者起不到最佳精度。希華晶振,有源晶振,OSC52晶振,貼片晶振

低消耗有源晶振的負載電容與阻抗:負載電容與阻抗設置一個規定的負載阻抗值。當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據規范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

機械處理:當發生外置撞擊時，任何7050有源晶振在遭到外部撞擊時，或者產品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點。