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希華晶體產品SMD晶振應用范圍包含行動電話、平板電腦、衛星通訊、車載系統、全球定位系統、個人電腦、無線通信及家用產品等，扮演基本信號源產生、傳遞、濾波等功能。持續致力于技術研究開發及品質落實扎根，營運據點遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務予世界電子大廠。

導入先進微機電制程創新研發技術敏銳地掌握石英晶振產品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發展主流，致力于開發小型化、高頻與光電領域等產品，與日本同業并駕齊驅。且深耕微機電(MEMS)技術領域，加速導入TF SMD Crystal的量產，藉以擴大公司營收規模并且提升獲利空間。

希華晶振,有源晶振,SCO-2520晶振,進口有源晶振,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.

有源晶振頻率越高一般價格越高。但頻率越高，頻差越大，從綜合角度考慮，一般工程師會選用頻率低但穩定的晶振，自己做倍頻電路。總之石英晶振是根據需要去選擇合適的頻率，并不是石英晶體振蕩器頻率越大就越好。要看具體需求。比如基站中一般用10MHz的恒溫晶振（OCXO），因其有很好的頻率穩定性，屬于高端晶振。至于范圍，晶振的頻率做的太高的話，就會失去意義，因為有其他更好的晶振頻率產品代替。產品頻率范圍是：25kHz-1.3G，基本上所有應用中的晶振都可以在產品中找到。

項目	符號	(CMOS)晶振規格說明	條件
輸出頻率范圍	f0	0.75~60MHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	VCC	1.8,2.5,3.0,3.3V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -10℃to +70℃	請聯系我們查看更多資料http://m.yaohuifushi.cn
		H: -40℃to +85℃

頻率穩定度	f_tol	J: ±30× 10-6
		L: ±50× 10-6
		T: ±100× 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	VOH	VCC-0.4V Min.
輸出電壓	VOL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	VIH	80% VCCMax.	ST終端
輸入電壓	VIL	20 % VCCMax.	ST終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

SCO-2520 2520 OSC

機械處理:當發生外置撞擊時，任何2520低頻運行晶振在遭到外部撞擊時，或者產品不小心跌落時，強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞，或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點。希華晶振,有源晶振,SCO-2520晶振,進口有源晶振

如何正確的使用有源手機晶振,電處理:將電源連接到指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振，假如損壞那將不會工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值，就很可能會導致石英晶振產品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振，或者起不到最佳精度。

希華有源晶振的負載電容與阻抗:負載電容與阻抗設置一個規定的負載阻抗值。當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據規范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。