NDK晶振日本電波工業株式會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、晶體元器件的專業生產廠家,以“通過對客戶的服務,為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創業理念為基礎于1948年成立.
現在我們作為提供電子業必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家,正以企業的繼續成長為目標而努力.
日本電波工業株式會社NDK晶振經營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產品的制造與銷售

NDK晶振日本電波工業株式會社的發展歷史：

1948 年  在東京都中央區日本橋設立南部商工株式會社生產銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振等元器件.

1949 年  開始晶體諧振器,晶體振蕩器,有源晶振的制造、銷售

1950 年  NDK晶振公司名變更為日本電波工業株式會社

 總公司遷移登記至東京都涉谷區大山町

1954 年  建設、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區代代木新町（現為 涉谷區西原）

1959 年  日本電波工業株式NDK晶振會社開始晶體濾波器,晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器的制造

1960 年  開始晶體振蕩器,貼片晶振,聲表面濾波器,陶瓷霧化片,石英晶體諧振器,石英晶體的制造

1962 年  日本電波工業株式NDK晶振會社著手在崎玉縣狹山市建立新工廠（現為 狹山事業所）

1963 年  在狹山事業所建成人工水晶工廠、開始人工水晶的制造

 在狹山事業所建成水晶切斷工廠,在日本證券業協會進行店面登記

1964 年  在狹山事業所建成組裝工廠

 在大阪府大阪市設立大阪辦事處

1970 年  在新瀉縣新瀉市建立Hawk Denshi株式會社（現為 新瀉NDK）

1975 年  日本電波工業株式NDK晶振會社在美國加利福尼亞州設立美國辦事處

1976 年  在宮城縣古川市（現為 大崎市）建立古川NDK株式會社

1979 年  在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.生產銷售32.768K,時鐘晶體,壓電石英晶體,壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等

 日本電波工業株式NDK晶振會社為取得更大發展而解散美國辦事處,設立NDK America, Inc.

1985 年  日本電波工業株式會社NDK晶振在狹山事業所主樓竣工

1986 年  在愛知縣岡崎市設立中部營業所

 在馬來西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.（現為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.）

 狹山事業所新館竣工

1988 年  在新加坡設立NDK Electronics Singapore Pte. Ltd.（現為 NDK Crystal Asia Pte. Ltd.）

 在英國設立NDK Europe Ltd.

1989 年  北在北海道函館市建立函館NDK株式會社

1990 年  在東京都新宿區西新宿設立總公司事務所 在東京證券交易所 市場第2部上市

1994 年 在中國江蘇省建立蘇州日本電波工業有限公司,生產銷售石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等,在意大利設立NDK Italy Srl（現為 NDK Europe Ltd. Italy Office）NDK取得ISO9001認證

1995 年  在香港成立日本電波工業（香港）有限公司

1998 年  NDK取得QS9000認證 在東京證券交易所 市場第1部上市

1999 年  狹山事業所取得ISO14001認證

2001 年  在德國設立NDK Europe Ltd. German Office

2002 年  NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc. 在北海道函館市建立NRS Technologies Inc. 在中國上海設立日電波水晶（上海）貿易有限公司

2004 年  在北海道千歲市成立千歲技術中心

2005 年  函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc. 總公司搬至東京都涉谷區笹冢

2008 年  品質保證試驗室取得ISO/IEC 17025：2005的認證獲東京海關批準為特定出口商

2009 年  狹山事務所內的新研發大樓"Laboratory ATOM"竣工在中國蘇州設立蘇州日電波貿易有限公司

2010 年  NDK石英晶振成為日本國內第一家遵循IFRS準則的企業

2014 年  NDK晶振集團取得ISO13485認證

NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比較出色的產品.產品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷.在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

在使用NDK晶振時應注意以下事項

以下是石英晶振電路設計匹配問題：

一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：
鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組. （請參閱芯片組的規格）
Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻.它的內置芯片一般設置.
Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?.這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路.

一個穩定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是NDK晶振阻力的至少五倍.它可寫為|-R|>5的Rr.
例如,為了獲得穩定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω.負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量.在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的.因此,這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：

線路連接的電阻（R）與晶體串聯
（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值.
（3）振蕩期間測量R的值.
（4）你將能夠獲得負電阻的值,|·R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力.
附：所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值.

如果石英晶振,貼片晶振的參數是正常的,但它不工作穩步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路.如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值,并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）.
 采用具有較低電阻（RR）的晶振.
 使用光盤和CG的不等價的設計.我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振

當有信號輸出從XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的.我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間,以驅動后端電路.

但1-5的方法上面提到的,你也可以按照步驟1-4-4的三種方法.如有不明白請聯系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助,如果你的問題不能得到解決.系統無法運行,因為晶體沒有足夠的輸出波形振幅.