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Sitime晶振,OSC晶振,SiT1602有源晶體振蕩器

頻率：3.750MHz~77.760MHz

尺寸：2.0*1.6*0.75mm

智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：86-0755-27838351

Sitime晶振,OSC晶振,SiT1602有源晶體振蕩器.小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.

石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài).

SiTime擁有一個世界級的模擬工程團隊,該團隊提供了業(yè)內最高的性能和最靈活的振蕩器.自2006年我們的第一次產品介紹以來,我們改進了頻率穩(wěn)定性性能250次(以性能指標衡量),改進了抖動性能800次,改善了艾倫偏差3萬次,并改善了功耗100次,同時保持了我們的產品的靈活性和可靠性.Sitime晶振公司最近的精英平臺就是這樣一個例子——基于這種架構的產品提供了最好的動態(tài)性能和更多的特性,而不是市場上的任何振蕩器.

Sitime晶振	SiT1602晶振
輸出類型	LVCMOS/HCMOS
輸出負載	15pF
振蕩模式	基本/第三泛音
電源電壓	+1.62V~+3.63V
頻率范圍	3.750MHz~77.760MHz
頻率	±20ppm
工作溫度	-20℃~+70℃ -40℃~+85℃
保存溫度	-65℃~+150℃
電壓卷（最大值）/ VOH（最小值）	0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間	5 ms Max
相位抖動（12兆赫~20兆赫）	1個PS最大
老化率	±3 ppm /年最大

SiT1602 2016 2520 3225 5032 7050 OSC

輸出負載

建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）.

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英2016晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.

機械處理

當有源環(huán)保晶振發(fā)生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象.不執(zhí)行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

SiT1602