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Silicon振蕩器,510ABA125M000BAGSi510差分晶振,6G電信晶振,

頻率：125MHZ

尺寸：5.00mmx3.20mm

Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振，尺寸為5.00mmx3.20mm，頻率125MHZ，電壓為3.3V，頻率穩(wěn)定性25ppm.輸出為L(zhǎng)VPECL，美國(guó)Silicon晶振，差分貼片晶振，LVPECL輸出晶振，差分晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，有源貼片晶振，SMD振蕩器，低功耗差分振蕩器，XO時(shí)鐘振蕩器，低電壓晶振，低相噪振蕩器，低相位差分晶振，低抖動(dòng)差分晶振，5032mm有源晶振，產(chǎn)品具有低功耗低抖動(dòng)低相位的特點(diǎn)。

有源晶振產(chǎn)品主要應(yīng)用范圍十分廣泛，主要應(yīng)用于SONET/SDH/OTN網(wǎng)絡(luò)，千兆以太網(wǎng)，光纖通道/SAS/SATA，PCI Express總線，3G-SDI/HD-SDI/SDI，電信，交換機(jī)/路由器，F(xiàn)PGA/ASIC時(shí)鐘生成等領(lǐng)域.Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振.

訂購(gòu)熱線：86-0755-27838351

Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振 參數(shù)表

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Supply Voltage	V DD	3.3 V option	2.97	3.3	3.63	V
		2.5 V option	2.25	2.5	2.75	V
		1.8 V option	1.71	1.8	1.89	V
Supply Current	IDD	CMOS, 100 MHz, single-ended	—	21	26	mA
		LVDS (output enabled)	—	19	23	mA
		LVPECL (output enabled)	—	39	43	mA
		HCSL (output enabled)	—	41	44	mA
		Tristate (output disabled)	—	—	18	mA
OE "1" Setting	VIH	See Note	0.80 x V DD	—	—	V
OE "0" Setting	VIL	See Note	—	—	0.20 x V DD	V
OE Internal Pull-Up/Pull- Down Resistor*	RI		—	45	—	kΩ
Operating Temperature	TA		–40	—	85	oC

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Supply Voltage	V DD	3.3 V option	2.97	3.3	3.63	V
		2.5 V option	2.25	2.5	2.75	V
		1.8 V option	1.71	1.8	1.89	V
Supply Current	IDD	CMOS, 100 MHz, single-ended	—	21	26	mA
		LVDS (output enabled)	—	19	23	mA
		LVPECL (output enabled)	—	39	43	mA
		HCSL (output enabled)	—	41	44	mA
		Tristate (output disabled)	—	—	18	mA
OE "1" Setting	VIH	See Note	0.80 x V DD	—	—	V
OE "0" Setting	VIL	See Note	—	—	0.20 x V DD	V
OE Internal Pull-Up/Pull- Down Resistor*	RI		—	45	—	kΩ
Operating Temperature	TA		–40	—	85	oC

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
CMOS Output Logic High	V OH		0.85 x V DD	—	—	V
CMOS Output Logic Low	VOL		—	—	0.15 x V DD	V
CMOS Output Logic High Drive	I OH	3.3 V	–8	—	—	mA
		2.5 V	–6	—	—	mA
		1.8 V	–4	—	—	mA
CMOS Output Logic Low Drive	I OL	3.3 V	8	—	—	mA
		2.5 V	6	—	—	mA
		1.8 V	4	—	—	mA
CMOS Output Rise/Fall Time (20 to 80% V DD)	TR/T F	0.1 to 212.5 MHz, CL = 15 pF	0.45	0.8	1.2	ns
		0.1 to 212.5 MHz, CL = no load	0.3	0.6	0.9	ns
LVPECL Output Rise/Fall Time (20 to 80% VDD)	TR/T F		100	—	565	ps
HCSL Output Rise/Fall Time (20 to 80% VDD)	TR/T F		100	—	470	ps
LVDS Output Rise/Fall Time (20 to 80% VDD)	TR/T F		350	—	800	ps
LVPECL Output Common Mode	VOC	50 Ω to V DD – 2 V, single-ended	—	V DD – 1.4 V	—	V
LVPECL Output Swing	VO	50 Ω to V DD – 2 V, single-ended	0.55	0.8	0.90	VPPSE
LVDS Output Common Mode	VOC	100 Ω line-line V DD= 3.3/2.5 V	1.13	1.23	1.33	V
		100 Ω line-line, V DD= 1.8 V	0.83	0.92	1.00	V
LVDS Output Swing	VO	Single-ended, 100 Ω differential termination	0.25	0.35	0.45	VPPSE
HCSL Output Common Mode	VOC	50 Ω to ground	0.35	0.38	0.42	V
HCSL Output Swing	VO	Single-ended	0.58	0.73	0.85	VPPSE
Duty Cycle	DC	All formats	48	50	52	%

Silicon振蕩器,510ABA125M000BAG,Si510差分晶振,6G電信晶振 尺寸圖

差分晶振產(chǎn)品特性：

支持來(lái)自的任何頻率100kHz至250MHz

低抖動(dòng)操作

完全穩(wěn)定包括10年老化

全面的生產(chǎn)測(cè)試

電源噪聲濾波 3.3、2.5或1.8V工作電壓差異(LVPECL，LVDS， HCSL)或CMOS輸出選項(xiàng)

可選集成1:2CMOS扇出緩沖器

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x7、3.2x5、和2.5x3.2毫米封裝

無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

–40至85攝氏度操作

更多相關(guān)Silicon晶振型號(hào)

Manufacturer Part Number原廠代碼	晶振廠家	Series型號(hào)	Frequency 頻率	Voltage - Supply電壓	Frequency Stability頻率穩(wěn)定度
530BA125M000DG	Silicon Labs	Si530	125MHz	3.3V	±50ppm
531FB125M000DG	Silicon Labs	Si531	125MHz	2.5V	±20ppm
530BB100M000DG	Silicon Labs	Si530	100MHz	3.3V	±20ppm
530FC156M250DG	Silicon Labs	Si530	156.25MHz	2.5V	±7ppm
510ABA125M000BAG	Silicon Labs	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
511BBA74M2500BAG	Silicon Labs	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA156M250BAG	Silicon Labs	Si510	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA156M250BAG	Silicon Labs	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA200M000BAG	Silicon Labs	Si510	200MHz	2.5V	±25ppm
510ABA200M000BAG	Silicon Labs	Si510	200MHz	3.3V	±25ppm
530FA156M250DG	Silicon Labs	Si530	156.25MHz	2.5V	±50ppm
531BC000110DG	Silicon Labs	Si531	148.35165MHz	3.3V	±7ppm
535FB125M000DG	Silicon Labs	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm
SI50122-A4-GM	Silicon Labs	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm
511ABA156M250AAGR	Silicon Labs	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
530FC125M000DG	Silicon Labs	Si530	125MHz	2.5V	±7ppm
531BC200M000DG	Silicon Labs	Si531	200MHz	3.3V	±7ppm
531BC250M000DG	Silicon Labs	Si531	250MHz	3.3V	±7ppm
530AC622M080DG	Silicon Labs	Si530	622.08MHz	3.3V	±7ppm
511FBA100M000BAG	Silicon Labs	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm
511BBA106M250BAG	Silicon Labs	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA156M250AAG	Silicon Labs	Si510	156.25MHz	3.3V	±25ppm
510ABA156M250AAG	Silicon Labs	Si510	156.25MHz	3.3V	±25ppm
531BC125M000DG	Silicon Labs	Si531	125MHz	3.3V	±7ppm
530AC125M000DG	Silicon Labs	Si530	125MHz	3.3V	±7ppm
531FB106M250DG	Silicon Labs	Si531	106.25MHz	2.5V	±20ppm
531AC156M250DG	Silicon Labs	Si531	156.25MHz	3.3V	±7ppm
531AC200M000DG	Silicon Labs	Si531	200MHz	3.3V	±7ppm
531BC148M500DG	Silicon Labs	Si531	148.5MHz	3.3V	±7ppm
530AC200M000DG	Silicon Labs	Si530	200MHz	3.3V	±7ppm
530BC200M000DG	Silicon Labs	Si530	200MHz	3.3V	±7ppm
531BC156M250DG	Silicon Labs	Si531	156.25MHz	3.3V	±7ppm
530FC200M000DG	Silicon Labs	Si530	200MHz	2.5V	±7ppm
536BB156M250DG	Silicon Labs	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm
536FB156M250DG	Silicon Labs	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm
536AB156M250DG	Silicon Labs	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm
510FBA125M000BAG	Silicon Labs	Si510	125MHz	2.5V	±25ppm
511BBA000149BAG	Silicon Labs	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA100M000BAG	Silicon Labs	Si510	100MHz	2.5V	±25ppm
511FBA106M250BAG	Silicon Labs	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
510BBA106M250BAG	Silicon Labs	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511BBA125M000AAG	Silicon Labs	Si511	125MHz	3.3V	±25ppm
510BBA100M000AAG	Silicon Labs	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
510BBA125M000AAG	Silicon Labs	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
511FBA100M000AAG	Silicon Labs	Si511	100MHz	2.5V	±25ppm
511BBA106M250AAG	Silicon Labs	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA148M500BAG	Silicon Labs	Si511	148.5MHz	2.5V	±25ppm
510FBA148M500BAG	Silicon Labs	Si510	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511BBA156M250BAG	Silicon晶振	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA156M250BAG	Silicon Labs	Si511	156.25MHz	2.5V	±25ppm
510BBA148M500BAG	Silicon Labs	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
511BBA156M250AAG	Silicon Labs	Si511	156.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA156M250AAG	Silicon Labs	Si510	156.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA155M520AAG	Silicon Labs	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA148M500AAG	Silicon Labs	Si510	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511BBA155M520AAG	Silicon Labs	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510BBA148M500AAG	Silicon Labs	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
510ABA148M500AAG	Silicon Labs	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm

Silicon振蕩器 510ABA125M000BAG Si510差分晶振 6G電信晶振

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: DSC1003DE1-048.0000T,2520mm,Microchip貼片晶振,監(jiān)控?cái)z像頭晶振; DSC1003DE1-048.0000T,2520mm,Microchip貼片晶振,監(jiān)控?cái)z像頭晶振，美國(guó)進(jìn)口晶振，Microchip晶振，型號(hào)：DSC1003，編碼為：DSC1003DE1-048.0000T，頻率為：48.000MHz，電壓：1.8V-3.3V，頻率穩(wěn)定性：±50ppm，工作溫度范圍：-20℃至+70℃，小體積晶振尺寸：2.5x2.0mm封裝，四腳貼片晶振，有源晶振，石英晶體振蕩器。應(yīng)用于：攝像機(jī)晶振，移動(dòng)通訊應(yīng)用，消費(fèi)類電子晶振，便捷式電子晶振，工業(yè)應(yīng)用等。

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