中国少妇×xxxx性裸交,先锋资源在线视频,国产91调教

當前位置：首頁 » 歐美晶振 » Silicon晶振 » 535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

prevnext

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

頻率：156.250MHz

尺寸：7.0x5.0mm

訂購熱線：86-0755-27838351

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振，美國進口晶振，Silicon品牌晶振，型號：Si535，編碼為：535BB156M250DG，頻率為：156.250MHz，電壓：3.3V，LVDS輸出差分晶振，溫度穩定性：±20ppm，工作溫度范圍：-40℃至+85℃，小體積晶振尺寸：7.0x5.0mm封裝，六腳貼片晶振，有源晶振，石英晶振，差分晶體振蕩器。應用程序：10/40/100G數據中心，10G以太網，交換機/路由器，光纖通道/SAS/存儲，企業服務器，網絡，電信，光模塊，無線網絡等應用。
Si535 XO利用天空解決方案的先進DSPLL®電路提供一個高速差分頻率的超低抖動時鐘。與傳統的XO不同，每個輸出頻率都需要一個不同的晶體，而Si535石英晶振使用一個固定的晶體來提供一個大范圍的輸出頻率。這種基于集成電路的方法允許晶體諧振器提供特殊的頻率穩定性和可靠性。此外，DSPLL時鐘合成提供了優越的電源噪聲抑制，簡化了在通信系統中通常發現的噪聲環境中產生低抖動時鐘的任務。基于Si535 IC的XO在裝運時被工廠編程，從而消除了與自定義振蕩器相關的長時間的前置時間。

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,產品特點：

可選頻率從100 MHz到312.5MHz
具有卓越抖動性能和高功率電源噪聲抑制的第三代DSPLL®
頻率穩定性是SAW振蕩器的3倍
可提供LVPECL和LVDS輸出有源晶振
3.3V和2.5V電源選項，行業標準5 x 7mm封裝和引腳
無鉛/符合RoHS

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,參數表

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1

LVPECL/LVDS

156.250

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,2

–7
–20

—
—

+7
+20

ppm

Aging

Frequency drift over first year

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Total Stability2

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±7 ppm

—

Powerup Time3

tOSC

TA = –40°C — +85°C

535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振,尺寸圖

石英晶體振蕩器	品牌	型號	頻率	電壓	頻率穩定度	包裝/封裝
535FB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A4-GM	Silicon晶振	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
536BB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536FB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536AB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536EB156M250DG	Silicon晶振	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536BB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536AB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535EB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536EB125M000DG	Silicon晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535BB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535BB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535FB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535AB125M000DG	Silicon晶振	Si535	125MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A1-GM	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A2-GM	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
535AB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
536FB125M000DG	貼片晶振	Si536	125MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
535EB156M250DG	Silicon晶振	Si535	156.25MHz	2.5V	±20ppm	6-SMD, No Lead
500DLAA125M000ACF	Silicon晶振	Si500D	125MHz	2.5V	±150ppm	6-SMD, No Lead
500DLAA200M000ACF	Silicon晶振	Si500D	200MHz	2.5V	±150ppm	6-SMD, No Lead
590AB70M6560DG	Silicon晶振	Si590	70.656MHz	3.3V	±25ppm	6-SMD, No Lead
590FA200M000DG	Silicon晶振	Si590	200MHz	2.5V	±50ppm	6-SMD, No Lead
590DA156M250DG	Silicon晶振	Si590	156.25MHz	3.3V	±50ppm	6-SMD, No Lead
591BB300M000DG	Silicon晶振	Si591	300MHz	3.3V	±25ppm	6-SMD, No Lead
550CD74M2500DGR	Silicon晶振	Si550	74.25MHz	3.3V	±50ppm	6-SMD, No Lead
514GBB000118AAG	Silicon晶振	Si514	156.25MHz	2.5V	±25ppm	6-SMD, No Lead
550AE100M000DGR	Silicon晶振	Si550	100MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
550AE100M000DG	Silicon晶振	Si550	100MHz	3.3V	±20ppm	6-SMD, No Lead
SI50122-A3-GM	Silicon晶振	SI50122-A3	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A5-GM	Silicon晶振	SI50122-A5	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A6-GM	Silicon晶振	SI50122-A6	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A1-GMR	Silicon晶振	SI50122-A1	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A2-GMR	Silicon晶振	SI50122-A2	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A3-GMR	Silicon晶振	SI50122-A3	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A4-GMR	Silicon晶振	SI50122-A4	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A5-GMR	Silicon晶振	SI50122-A5	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN
SI50122-A6-GMR	Silicon晶振	SI50122-A6	100MHz	2.25 V ~ 3.63 V	+100ppm	10-VFDFN

535BB156M250DG Si535 7050mm 156.25MHz Silicon差分晶振

采購：535BB156M250DG,Si535,7050mm,156.25MHz,Silicon差分晶振

*聯系人：
*手機：
公司名稱：
郵箱：
電話：
地址：
*采購意向：
*驗證碼：

跟此產品相關的產品 / Related Products

: 1XSE012000AR58,日本KDS晶振,3225有源貼片,DSO321SR,汽車多媒體設備晶振; 1XSE012000AR58,日本KDS晶振,3225有源貼片,DSO321SR,汽車多媒體設備晶振，3225石英晶體振蕩器被認為是最適合在汽車電子上的產品，3225貼片晶振在極端嚴酷的環境條件下也能發揮穩定的起振特性，本身具有耐熱，耐振，耐沖擊等優良的耐環境特性。日本KDS晶振生產的DSO321SR系列為3225尺寸，低電流消耗：最大 8mA （167MHz， 3.3V）；電源電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.0V/3.3V；提供窄偏差： ±20ppm/±30ppm/±50ppm/±100ppm；通過使用 AT cut 基波諧振器，可提供高達 167MHz 的頻譜，低抖動提供高性能；扁平：1.1mm；符合 AEC-Q200 標準（選項：相當于 AEC-Q100）；CMOS 電平輸出。1XSE012000AR58晶振頻率是12.000MHz，為汽車電子晶振，多應用于PC、游戲設備；DSC、DVD、藍光、HDTV、DVC、HDD；WiMAX 系列；攝像頭模塊；Gb以太網；汽車多媒體設備。

: VCXO-7A晶振,VCXO壓控晶振,進口有源晶振,CORE晶振; VCXO-7A晶振,VCXO壓控晶振,進口有源晶振,CORE晶振，高品質石英晶振，SMD貼片晶體，進口壓控振蕩器，CMOS輸出晶振，四腳貼片晶振，編碼型號為：VCXO-7A，頻率：40 MHz，頻率穩定為：±30ppm，電源電壓為：5V，工作溫度范圍：-10℃至+60℃，晶振體積尺寸為：7.0x5.0mm，進口貼片晶振，小型石英晶體振蕩器，科爾晶振，有源晶體振蕩器，貼片石英晶振，低抖動有源晶振，低相噪相控石英晶體，四腳SMD金屬面貼片晶振，具備高可靠的環保性能，符合ROHS標準，產品被廣泛應用于筆記本電腦晶振，數碼相機晶振等產品。

: AGTCO-ST5032晶體,ARGO電子,溫補石英晶振,有源晶體振蕩器; AGTCO-ST5032晶體,ARGO電子,溫補石英晶振,有源晶體振蕩器，有源晶振，高品質石英晶振，溫補補償晶體振蕩器，四腳貼片晶振，編碼為： AGTCO-ST5032，頻率：10MHz，頻率公差性：±0.5ppm，電源電壓為：3.3V，工作溫度范圍：-30℃至+85℃，小體積晶振尺寸：5.0x3.2mm，HCMOS輸出晶體，SMD貼片晶振，有源晶體振蕩器，該晶振產品為5032mm體積的溫補晶振(TCXO)產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器，最適合于GPS,以及衛星通訊系統和智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振。