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康華爾電子成立至今已有20多年,是國(guó)內(nèi)數(shù)一數(shù)二的晶振廠家0755-27838351,專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)銷售石英晶振,32.768K晶振,石英晶體諧振器,貼片晶振,SAW濾波器等.采用無鉛環(huán)保材料生產(chǎn),具有精度穩(wěn)定,小體積,重量輕等特點(diǎn).國(guó)產(chǎn)晶振就選康華爾電子,質(zhì)量好,精度高,價(jià)格優(yōu)勢(shì).
康華爾電子多年來在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中,以技術(shù)占領(lǐng)市場(chǎng),以質(zhì)量贏得客戶,是國(guó)內(nèi)口碑極高的晶振供應(yīng)商.并且憑借自身的努力代理臺(tái)灣進(jìn)口晶振多個(gè)品牌,TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,亞陶晶振等.康華爾電子所提供的臺(tái)產(chǎn)晶振,均符合德國(guó)ROHS環(huán)保指令,具有高質(zhì)量,高可靠使用特性,咨詢選購(gòu)熱線0755-27838351.
日本進(jìn)口晶振在國(guó)內(nèi)口碑一流,高端智能產(chǎn)品使用晶振大都會(huì)選擇日產(chǎn)晶振作為首選.康華爾電子憑借自身的努力同時(shí)代理KDS晶振,愛普生晶振,精工晶體,京瓷晶振等品牌.所代理石英晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶體均符合歐盟ROHS環(huán)保要求,具有高精度,高品質(zhì),低插損,耐高溫等特點(diǎn).
康華爾電子是國(guó)內(nèi)優(yōu)秀的歐美進(jìn)口晶振供貨商0755-27838351,多年來憑借自身的努力,獲得CTS晶振,FOX晶振,Sitime晶振,瑞康晶振等代理權(quán)限.所代理進(jìn)口晶振,歐美晶振均符合歐盟ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO國(guó)際質(zhì)量管理體系認(rèn)證.市場(chǎng)常用進(jìn)口晶振封裝型號(hào)康華爾電子均有備貨,可免費(fèi)提供現(xiàn)貨樣品以及晶振技術(shù)解決方案.
32.768K是晶振頻率中最容易讓人記住的數(shù)字,32.768K晶振素來有時(shí)鐘晶振的稱謂,只要跟數(shù)字顯示以及時(shí)間相關(guān)的產(chǎn)品都少不了一款32.768K晶振.根據(jù)不同的產(chǎn)品需求主要分為圓柱晶振和32.768K貼片晶振.常見封裝有2x6,3x8,7.0x1.5,3.2x1.5,2.0x1.2等體積.康華爾電子提供各種32.768K晶振,音叉表晶,價(jià)格優(yōu)質(zhì),咨詢熱線0755-27838351.
有源晶振是一款自身帶有電源電壓功能的石英晶體振蕩器,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
康華爾電子擁有先進(jìn)的設(shè)備,一流的生產(chǎn)技術(shù),致力于為用戶提供小型,薄型,高精密石英晶振,貼片晶體,石英晶體振蕩器.多年來康華爾電子通過自身努力,獲得多個(gè)進(jìn)口貼片晶振品牌代理權(quán)限,比如,KDS晶振,NDK晶振,京瓷晶振,TXC晶振,鴻星晶振,CTS晶振,IDT晶振等.康華爾進(jìn)口晶振代理商,所提供產(chǎn)品均符合國(guó)際ROHS環(huán)保指令,并且獲得ISO9001國(guó)際認(rèn)證,產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì),交期快,咨詢熱線0755-27838351.
SiTime MEMS振蕩器采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝工藝,采用MEMS諧振器和CMOS芯片構(gòu)建.由于迄今為止已售出的2.5億個(gè)產(chǎn)品中沒有MEMS諧振器故障,我們無法計(jì)算MEMS的激活能量（Ea）.因此，我們使用CMOS的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Ea=0.7eV作為產(chǎn)品的Ea.我們使用設(shè)備最差情況元素的Ea作為Ea來計(jì)算我們產(chǎn)品的可靠性指標(biāo),FIT和MTBF.
精密的MEMS貼片式晶體振蕩器需要一個(gè)溫度-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)來調(diào)整分?jǐn)?shù)N PLL的倍增因子,以便補(bǔ)償MEMS諧振器在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的頻率變化.然而,這種補(bǔ)償為TDC的噪聲作為相位噪聲(PN)傳播到溫補(bǔ)晶振的輸出提供了一條路徑.以前的工作已經(jīng)試圖通過使用高分辨率TDC來最小化這種噪聲，例如，描述的基于MEMS熱敏電阻的TDC。本文介紹了一種基于雙MEMS晶振的TDC，它對(duì)振蕩器PN沒有顯著影響。在130Hz帶寬（BW）中，傳感器實(shí)現(xiàn)了40μK的熱噪聲限制分辨率，導(dǎo)致分辨率FOM（能量/轉(zhuǎn)換×分辨率2）為0.12pJK2，比現(xiàn)有技術(shù)高5倍。
電信應(yīng)用要求在1s積分時(shí)間內(nèi)具有優(yōu)于10-10的Allan偏差（ADEV）的時(shí)鐘，或者對(duì)于48MHz金屬面時(shí)鐘晶振在1Hz偏移頻率下具有小于-59dBc的PN，降低30dB/十倍。此類應(yīng)用還需要-40至85°C的±0.1ppm頻率穩(wěn)定性，必須在1°C/s的溫度斜坡和熱瞬態(tài)期間保持，通常在100Hz帶寬內(nèi)。本工作中描述的MEMS振蕩器滿足PN要求，無需溫度補(bǔ)償（XO）。但是，為了滿足穩(wěn)定性要求，溫度補(bǔ)償（TCXO）是必不可少的。
最佳報(bào)告的TDC分辨率為100μK（rms），10S/s，FOM為13pJK2。在這項(xiàng)工作中，MEMS頻率變化高達(dá)1ppm/K.為避免降低TCXO PN，需要在200S/s下至少50μK的TDC分辨率。為了滿足這一要求而擴(kuò)展架構(gòu)將需要1W的功耗。VCXO晶振傳感器實(shí)現(xiàn)了迄今為止最佳的能效，FOM為0.52pJK2，但在10mK（rms）時(shí)，其分辨率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。此外，這兩個(gè)最佳示例都是基于熱敏電阻的，并且在整個(gè)壽命期間不太可能滿足±0.1ppm的穩(wěn)定性要求（包括滯后）。其他TDC類型，例如基于BJT的傳感器，尚未達(dá)到所需的分辨率和能量效率。所提出的雙MEMS諧振器TDC在這項(xiàng)工作中使我們能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)分辨率，BW，FOM和穩(wěn)定性。
圖1描述了可編程石英晶體振蕩器，在一個(gè)芯片上有兩個(gè)MEMS諧振器，連接到CMOS芯片，包括兩個(gè)振蕩器維持電路，一個(gè)頻率比引擎和一個(gè)頻率合成器。在該架構(gòu)中，溫度信息來自兩個(gè)MEMS頻率的比率：溫度檢測(cè)頻率fTS（45MHz）和溫度平坦頻率fTF（47MHz），溫度系數(shù)為-7ppm/K和1ppm/K,分別。因此它們的比率具有約-8ppm/K的溫度系數(shù).
圖2顯示了頻率比引擎，它由一個(gè)嵌套在另一個(gè)內(nèi)的PLL組成。數(shù)字PLL（DPLL）將fTS鎖定為由嵌套模擬小數(shù)N分頻PLL（APLL）提供的fTF的縮放值，并用作DPLL的數(shù)控振蕩器（DCO）。 APLL的小數(shù)除法值是兩個(gè)頻率的縮放比率。DCO的輸出頻率除以10，以優(yōu)化所用過程中的功率和性能。小數(shù)除法值應(yīng)用于由7階多項(xiàng)式和橢圓低通濾波器組成的TDC數(shù)據(jù)路徑。然后，通過修改頻率合成器的可編程倍頻器（PFM）值，濾波后的結(jié)果用于穩(wěn)定參考頻率fTF，從而在合成器的輸出端產(chǎn)生穩(wěn)定的頻率。
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